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EPC2015中文资料

EPC2015图片

EPC2015外观图

  • 大小:1642KB
  • 厂家:
  • 描述:TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
  • 产品培训模块:eGaN FET ReliabilitySecond Gen Lead Free eGaN FETs OverviewParalleling eGaN? FETs
  • 特色产品:eGaN? FETs Demo Board EPC9101
  • 标准包装:1
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:eGaN®
  • FET 型:GaNFET N 通道,氮化镓
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:33A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:4 毫欧 @ 33A,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 9mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:10.5nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1100pF @ 20V
  • 功率 - 最大:-
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:模具剖面(11 焊条)
  • 供应商设备封装:模具剖面(11 焊条)
  • 包装:Digi-Reel?
  • 其它名称:917-1019-6

EPC2015供应商

更新时间:2023-01-01 18:20:29
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